Um der Nachfrage der Kunden nach Modulen mit höheren Strömen nachzukommen, hat der chinesische Power-Modul-Spezialist Leapers Semiconductor Co. ,Ltd. ein 900A/1200V Modul entwickelt, das sich ideal für Applikationen eignet, die auf eine Wasser­kühlung ausgelegt sind: das Modul ist auf der Rückseite nicht mit einer Standard-Bodenplatte ausgestattet, sondern für eine optimierte Wärme­übertragung mit Pin Fins, die eine höhere Leistungs­dichte ermöglichen.

Das Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul im ED3-Gehäuse ist außerdem mit einem Si3N4 AMB-Substrat ausgestattet. Dieses Substrat bietet eine höhere mechanische Festigkeit bei höherer thermischer Leitfähigkeit im Vergleich zum Standardmaterial. Die integrierten Hochleistungs-IGBTs des chinesischen Chip-Herstellers HHgrace  werden in hohen Stückzahlen in chinesischen Elektrofahrzeugen eingesetzt. Durch die gezielte Auswahl lokaler Technologieführer ist eine vollständige Unabhängigkeit von den etablierten Chip-Quellen geschaffen und wir können damit eine echte Alternative und Versorgungssicherheit bieten.